Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (3) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Manilov A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Manilov A. I. Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium [Електронний ресурс] / A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_3 Resistivity and complex impedance voltage dependences for thick mesoporous silicon free layers were studied in this work. The asymmetrical by the sign of applied voltage experimental curves at low frequencies have been obtained. Modification of electrophysical properties due to introduction of palladium particles into the porous matrix is observed. Impedance change regularities during oxidation of the samples have been measured. The explanation of experimental results by asymmetrical distribution of charge carrier traps in the bulk of porous silicon has been suggested. Energy band diagrams and charge transfer mechanisms of these heterostructures are discussed. | ||
| 2. | 
Manilov A. I. Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen [Електронний ресурс] / A. I. Manilov // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 3. - С. 233-239. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_3_7 | ||
| 3. | 
Kozinets А. V. Deep Silicon Barrier Structure as Chemical Sensor for Detection of Hydrochloric Acid Salt Solutions [Електронний ресурс] / А. V. Kozinets, A. I. Manilov, S. A. Alekseev, S. V. Litvinenko, V. V. Lysenko, V. A. Skryshevsky // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 3. - С. 03015-1-03015-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_3_17 Розглянуто можливість виявлення солей соляної кислоти за допомогою кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення. Запропоновані структури реалізують принцип перетворення, що відрізняється від принципу, який застосовано у відомих структурах типу LAPS (потенціометричний сенсор із світловою адресацією). Основою таких пристроїв є "глибока" кремнієва бар'єрна структура. У запропонованій схемі сигналом датчика є фотострум через бар'єрну структуру, індукований світлом із області сильного поглинання кремнію. Це надає змогу одержувати максимальні зміни фотоструму внаслідок зміни швидкості рекомбінації на робочій поверхні. Зазначено, що запропонована структура надає змогу більш просту технічну реалізацію, ніж структури LAPS. Експериментально досліджено декілька аналітів (хлоридів), які містять метали з різною відносною електронегативністю (Fe, Zn та Al). Експериментально показано, що залежність фотоструму від напруги поляризації (напруга, яка змінює приповерхневий вигин зон) є інформативною для виявлення таких аналітів. В межах моделі Стівенсона - Кейса одержані результати можна пояснити якісно. Основною причиною, яка надає змогу виявлити такі аналіти, є вплив локального електростатичного поля адсорбованих іонів на параметри рекомбінації поверхні кремнію. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |